抛光液
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      抛光液

      所属分类： CMP制程材料

      抛光液是一种颗粒分布匀散的胶体,可使硅片表面产生一层氧化膜,再由抛光液中磨粒将其去除,达到抛光目的。。通常抛光液的流速、、、粘度、、、、温度、、、、成分、、、pH值等都会对去除效果有影响。。。。

      产品详情

      产品产品介绍分类关键性能描述
      DP53XX、、、DP55XX、、、DP59XX系列用于集成电路制造工艺中多晶硅的去除和平坦化，，具有高多晶硅去除速率，，，，高稀释比、、、低缺陷率的特点。。。。产品已经在存储器件量产中使用。。多晶硅抛光液

      固含量4%-20%；

      粒径：60-200 nm；

      Poly/OX移除选择比高

      DP54XX、、、、DP56XX、、、、DP58XX系列用于集成电路制造工艺中多场景的氮化硅薄膜去除和平坦化，，具有碟形效应修复能力强，，，，栅极高度精准控制的优点，，在逻辑器件制造中广泛应用。。。氮化硅抛光液

      固含量2%-20%；

      粒径：50-100 nm；

      SiN/OX移除选择比适中

      ZX系列用于集成电路制造工艺中介电层材料（氧化硅）的去除和平坦化，，，具有高去除速率，，高稀释比、、、低缺陷率的特点。。。产品已经在存储器件量产中使用。。。。介电材料抛光液

      固含量3%-20%，，

      粒径80-150nm，，，，

      OX薄膜移除率高

      DP6XXX系列在集成电路制造中，，用于硅片表面化学机械抛光(CMP)，，，，有去除速率高，，表面缺陷率低的特点。。。硅衬底抛光液

      固含量2%-20%；

      粒径：50-100 nm；

      Si移除率高；

      晶圆缺陷率低

      DW6XXX系列搭载自产氧化铝研磨粒子，，用于逻辑器件制造工艺中金属钨栅极材料的去除和平坦化，，具有高平坦化效率，，，，高选择比，，低缺陷率的特点，，已在逻辑器件量产中使用。。钨栅极抛光液

      固含量0.01%-0.3%，，，，

      粒径60-120nm，，，W，，，，TiN，，，，OX 移除率均可满足定制化需求，，W/OX 移除选择比高

      DW3XXX、、、DW5XXX系列用于集成电路制造工艺中金属钨材料的去除和平坦化，，，，选择比可控，，，满足选择比定制需求，，低缺陷率，，，，已经在逻辑器件量产中使用。。。钨抛光液

      固含量1%-10%，，，，

      粒径60-100nm，，，，

      W，，，，TiN，，OX 移除率均可满足定制化需求，，W/OX 移除选择比适中

      DB系列用于集成电路制造铜互连工艺中阻挡层的去除和平坦化，，选择性抛光铜与阻挡层，，，，高平整度、、、、低缺陷，，，低腐蚀或碟形凹陷。。。铜阻挡层抛光液

      固含量5~25%，，

      粒径20-150nm，，Cu，，，OX，，，，BD，，，Ta，，，，TaN，，，，SiN等薄膜移除率可根据需求定制

      DC系列用于集成电路制造工艺中金属铜的去除和平坦化，，，具有高去除速率，，，，高稀释比，，，，低缺陷等特点。。铜抛光液固含量0.5%-2%，，粒径30-120nm；Cu移除率高；Cu/OX移除选择比低
      ZA系列搭载自产氧化铝研磨粒子，，，，用于集成电路制造工艺中金属铝栅极材料的去除和平坦化修复，，具有高平坦化效率，，，高选择比，，低缺陷率的特点。。。。产品已经在逻辑器件制造中使用。。。。铝栅极抛光液固含量0.5%-2%，，，粒径60-120nm，，，Al ，，TiN，，，OX等薄膜移除率可根据需求定制，，，Al/OX 移除选择比高
      DS系列搭载自产氧化铈研磨粒子，，用于集成电路制造工艺中介电层材料（氧化硅）的去除和平坦化，，，，STI结构的构建中。。。。具有高氧化硅去除速率，，，高平坦化效率、、、低碟形效应、、、低缺陷率的特点。。氧化铈抛光液固含量0.5%-5%，，粒径80-150nm，，，，OX移除率可根据需求定制，，OX/SiN移除选择比高
      DLS系列CMP slurry中的核心原料，，，，金属杂质含量低，，，广泛用于前段工艺及高要求的金属互连工艺。。。。具有硬度低，，，晶圆缺陷率低的特点。。超纯硅磨料固含量15%-21%，，粒径35-180nm；pH 6.5~8.6；各项金属杂质＜20ppb；可订制磨料颗粒所带电荷
      DLSB系列用于集成电路制造工艺中各制程中slurry设计，，，提供机械研磨力以及化学组分吸附位点，，可用作快速去除与选择比控制高的场景。。高纯硅磨料固含量20-50%; 粒径20~150nm; pH 8~11;莫氏硬度~6

      关键词：抛光液

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      抛光液是一种颗粒分布匀散的胶体,可使硅片表面产生一层氧化膜,再由抛光液中磨粒将其去除,达到抛光目的。。。。通常抛光液的流速、、粘度、、、温度、、成分、、、pH值等都会对去除效果有影响。。

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